【摘 要】
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超低电压微纳电子学是当代学术界和工业界迎合绿色设计的关注热点。设计等效为毫伏数量级的阈值电压MOSFET,主流方法是大宽长比和体源偏置,改良的方法是前两法的融合。在江苏
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超低电压微纳电子学是当代学术界和工业界迎合绿色设计的关注热点。设计等效为毫伏数量级的阈值电压MOSFET,主流方法是大宽长比和体源偏置,改良的方法是前两法的融合。在江苏省自然科学基金支撑下(BK20141196),本文工作目标有二:一是综论实现超低电压模拟电路的硅极限供电压与基本设计理念;二是从单管出发,建构推导大宽长比条件下的n A级漏电流,并改良设计极少管子构造的关键模拟电路。旨在重点分析李文石教授发明的3MOSFET施密特非门,主要工作内容:一是,构建大宽长比的单管I-V特性解析式,应用解析非门滤波器和前述李氏电路[1](3MOSFET);二是,基于已知的体偏置法构建完成了CMOS非门的I-V特性对比。关键电路的关键结果是:CMOS非门滤波器的供电压可降至500m V;3MOSFET工作在100m V;3MOSFET的双阈值模型包含6个参数,误差小于10%。为推动脑健康微电子学的健康发展,本工作做出了新的研发积累。
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