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碳化硅（SiC）是一种耐腐蚀、抗氧化，耐高温的宽带隙半导体材料，其纳米材料具备独特的理化性能，在基础研究以及纳米器件、光子器件、复合材料、能源材料和生物医药等领域引起了广泛的关注。本文采用溶剂热法，以聚甲基硅烷（PMS）为原料，在不使用任何催化剂的条件下成功的制备了SiC零维材料量子点，并对其进行了详细的组成、结构和性能表征；在添加催化剂、辅助试剂、生长基底和调节反应时间的基础上，制备了SiC纳米线，同时对产物进行了详细的组成、结构和相关性能的表征。以PMS为原料，在550℃下，通过溶剂热法