近年来，随着光伏产业的迅速发展，多晶硅制备技术的研究备受关注。本项目提出以高纯SiO2为原料，首先在感应熔炼炉内用高纯金属锶熔体还原SiO2制备锶硅合金，然后通过真空蒸馏分离锶和硅以获得高纯硅的新技术。金属熔体热还原过程中产生的SrO则溶解到SrF2-SrCl2熔盐中，作为熔盐电解制取锶的原料。　　能否实现产物Sr-Si合金和SrO的有效分离，以及Sr-Si合金的真空蒸馏尤为重要。因此，SrF2-SrCl2-SrO系熔盐物理化学性质的研究以及探索Sr-Si合金真空蒸馏的可行性是很有必要的。　　本文系统研究了SrF2-SrCl2-SrO系熔盐的初晶温度、密度、表面张力、电导率以及SrO在SrF2-SrCl2系熔盐中的溶解能力。研究表明，在SrF2质量分数为30％～60％之间，该体系的初晶温度在924～962℃，其中组成为45％SrF2-55％SrCl2熔盐的初晶温度最高;表面张力和密度均随温度升高而减小，随SrF2浓度增加而增大，SrF2-SrCl2系中添加少量SrO时，对表面张力和密度影响不大;电导率随温度身高而线性增加，随SrF2浓度增加而降低，向SrF2-SrCl2系熔盐中添加2％SrO时，其熔盐电导率有所增加;SrO在SrF2-SrCl2系熔盐中的溶解能力随温度升高和SrF2含量增加而增大。　　在研究范围内，该系熔盐的密度为2.849～3.226 g/cm3，对SrO的溶解能力为4.60％～8.63％，初晶温度最高在960℃左右，基本能满足作为锶热还原过程熔剂的要求。　　从理论基础与蒸馏实验两方面进行了真空蒸馏分离锶与硅可行性的初步探索。　　真空条件(10Pa)下，Sr的沸点(637℃)远小于Si的沸点(1827℃)，在1000～1150℃范围内，P*Sr/P*Si=109～1010。从而真空蒸馏分离锶与硅在理论上是可行的。　　在温度为1000～1150℃，蒸馏时间为2～4h，真空度在10Pa以内的条件下使用刚玉坩埚做为反应盛器，发现有杂质元素进入锶硅合金形成Sr2SiO4、 AlSr等杂质。但锶硅合金得到了较多的分解，也得到了一定量的单质硅，表明真空蒸馏分离Sr-Si合金是可行的。