透明导电氧化物（Transparent Conducting Films简称TCO）薄膜（尤其是Indium TinOxide简称ITO薄膜），既有高电导率又有高可见光透射率，因此被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、气敏元件、热屏蔽、电磁屏蔽等领域。现阶段有多种工艺可用于制备ITO薄膜，比如：喷雾热解法、溶胶—凝胶法、化学气相沉积法、真空蒸发法、脉冲激光沉积法、磁控溅射法等。磁控溅射法以其优良的性能，以大规模地应用在工业生产中。随着显示技术的不断发展，对可见光透射率的要求也越来越高，这也大大促进了人们对ITO薄膜可见光透射率的研究。其中在保证高电导率的情况下，如何进一步的提高ITO薄膜可见光透射率以成为热门的研究课题。本文根据光学单层薄膜理论，利用C++程序设计语言，编写出了计算薄膜透射率的独立程序，并将该程序应用到单层ITO薄膜透射率的计算中。并由计算程序得到：在可见光范围内，单层ITO薄膜的平均透射率达到93%。为了验证理论计算正确与否，采用直流磁控溅射镀膜工艺，在浮法玻璃基底上制备ITO透明导电薄膜，对所得ITO薄膜的物理特性进行了研究。溅射所用靶材为高纯度陶瓷ITO靶材，在本底真空中，充入氩气作为工作气体，保持基底温度和溅射功率稳定。实验结果表明：ITO薄膜具有In2O3的立方多晶结构，主要成分为In, Sn, O，表面较为平整，Eg的值约为3.86eV，可见光区域的透射率高达90%。程序计算的结果和实际测量得到的ITO薄膜透射率比较接近，微小偏差源于制备过程中结晶度、致密度、缺陷等因素的影响。