【摘 要】
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有机场效应晶体管(OFET)是未来电子产品向着更轻更薄方向发展的基础。相比于传统无机半导体器件,OFET的输出特性曲线具有很明显的非线性现象。非线性特性是指接触类型为肖特
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有机场效应晶体管(OFET)是未来电子产品向着更轻更薄方向发展的基础。相比于传统无机半导体器件,OFET的输出特性曲线具有很明显的非线性现象。非线性特性是指接触类型为肖特基接触,漏极电流与漏极偏压在低漏偏压下呈现出类似于二极管特性的现象。这种现象在OFET的研究中极为常见。文中以OFET内部沟道渐变理论和金属-半导体界面电流注入理论为基础,通过在OFET金属源电极与有机半导体层之间引入耗尽层假设,建立了一种能够定量解释OFET非线性现象的器件模型。利用该模型计算了OFET器件的耗尽层电势降和界面注入电场强度,结果与开尔文探针力显微镜(KPFM)的测试结果很好的吻合；模型较好地拟合了基于P3HT有机场效应晶体管器件的输出特性曲线；研究了器件迁移率和阈值电压受寄生效应的影响。所得结论为改善OFET器件性能提供了可靠依据。
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