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发光二极管,是一种将电能转换为光能的新型、节能、环保的半导体元器件。它被广泛应用在显示、照明等各个领域,被认为是最有可能取代传统高能耗光源的第四代光源。目前在LED家族中,氮化镓(GaN)LED占有重要地位,GaN已经成为制造LED的主流材料。氧化铟锡(ITO)是GaN LED中应用最广泛的透明电极材料,但是由于ITO存在化学稳定性差、紫外光波段透光率低、铟资源稀缺而价格高昂等问题,寻找能够替代ITO作为透明电流扩展层的材料显得很有必要。石墨烯因具有优良的光电性能而应用于光电器件中,但是还很少有关在光子晶体LED中利用石墨烯作透明电流扩展层的报道。本文是关于采用石墨烯电流扩展层提高光子晶体LED性能的研究。本文的主要研究内容如下:(1)器件光子晶体结构的上方铺石墨烯作为电极,设计制备了石墨烯作为透明电流扩展层的二维空气孔光子晶体LED。制备出了包括采用石墨烯作电流扩展层的光子晶体LED在内的9种器件。(2)通过查阅相关文献和多次试验,深入研究光子晶体LED的制备工艺和转移石墨烯等关键工艺,确定了工艺步骤和工艺参数。(3)研究了光子晶体LED表面的石墨烯电流扩展作用,特别是光子晶体空气孔上悬浮的石墨烯对于电流扩展的显著提高作用。发现悬浮部分的高电导率可带来石墨烯平均方阻减小,可使石墨烯作为电流扩展层的光子晶体LED发光功率大幅提高,工作电压大幅降低。(4)利用COMSOL软件对实验器件进行了模拟。解释了光子晶体刻蚀导致的LED表面电流扩展恶化,以及石墨烯对电流扩展所起的重要作用。(5)对器件进行了测试和分析。测试和分析了石墨烯电流扩展层的透光率、器件电流扩展效果、器件的I-V特性等。重点分析了器件的光电性能。