黑硅作为一种新型硅材料,其在可见光及近红外区域具有极高的光吸收率,所以它在太阳能电池及光探测器领域有巨大的应用前景,因此近年来得到了业界的广泛关注,其制备方法和性能也成为当前研究热点。目前正在研究的黑硅材料的制备的方法多样,但是都有各自的不足,本文提供了一种制备黑硅材料的新方法,即采用两种湿法刻蚀相结合来制备黑硅,其具有方法简单易行,操作可控性强等优点。本文还研究了制备黑硅材料过程中不同实验参数对样品性能的影响,初步制备出黑硅材料的光电探测器,并探讨了基于黑硅材料的光探测器的性能:1,通过光刻在硅片表面形成直径与间距比为2μm:2μm的圆形掩膜,研究了不同掩膜材料对后续刻蚀的影响。2,通过KOH溶液对硅片进行刻蚀,刻蚀后会在样品表面形成尖锥形貌,通过SEM对刻蚀后的硅片表面形貌进行表征,研究了刻蚀后形貌和晶面晶向间的关系,测试了样品的光吸收率曲线,刻蚀深度对样品光吸收率有着很大影响,碱刻蚀后样品光吸收率最高可以达到84%。3,利用氯金酸,双氧水,HF,去离子水混合溶液对碱刻蚀后的硅片表面尖锥进行腐蚀改性,酸处理会样品尖锥表面形成多孔形貌,这样制备黑硅样品的光吸收率可以达到96%。4,测试了黑硅样品与不同刻蚀方法处理后的硅片的光吸收率曲线,分析了不同刻蚀方法对硅片光吸收率的影响。5,探索了黑硅材料在光电探测方面的应用,在黑硅表面设计了MSM结构叉指电极,研究了在黑硅不平整表面制备电极的光刻工艺,初步制备出黑硅材料的光电探测器。6,初步探索了基于黑硅材料的MSM结构光电探测器的光电性能。分析了利用黑硅材料制备的MSM结构光电探测器的暗电流、光电流,探讨了器件的光电探测灵敏度和量子效率等性能指标。