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在当前传统Si MOSFET性能正在达到物理极限的情况下,第三代宽禁带半导体功率器件SiC MOSFET由于具有高温工作能力强、极限耐压等级高、开关速度快等优势,使得在高频高功率密度的功率变换器领域内得到了广泛应用。但是随着系统工作频率的提高,由于传统驱动方案不具备栅极能量的回收利用,使得能量全部被驱动电阻所消耗,严重影响系统的效率及可靠性。因此研究高频下如何有效降低SiC MOSFET的驱动损耗具有重要意义。本文基于传统全桥电压型隔离驱动电路结构,针对宽禁带功率器件SiC MOSFET的高频应用,设计了一种隔离式谐振栅极驱动电路。利用驱动变压器漏感与SiC MOSFET输入电容之间的谐振,将输入电容中的能量回收到漏感中,再对输入电容进行反向充电,完成SiC MOSFET开关状态的切换,实现了栅极能量的复用,达到高频下减小SiC MOSFET驱动损耗的目的。同时对栅极寄生电感中的能量也具有回收作用,减小了驱动电压波形的过冲与震荡。通过采用驱动变压器方式进行电气隔离,实现了桥式电路中的高侧驱动。其次,鉴于SiC MOSFET栅极耐压的不对称性和高频串扰问题,本方案通过采用电平移位电路,能够输出正负非对称驱动电压,并且实现了 SiC MOSFET的稳定负压关断,有效抑制了高频下SiC MOSFET误开启现象的发生。最后,在800W同步Buck变换器系统中对该新型驱动电路进行验证。系统测试结果表明,该驱动电路方案能够输出+19.58V/-2.27V的驱动电压范围。电压尖峰2V左右,与传统驱动方案相比减小了 50%。测试系统在开关频率为1MHz时峰值效率为86.7%,与传统驱动方案86.3%相比效率提升0.4%。驱动损耗为1.17W,与传统驱动方案3.26W驱动损耗相比,节省了约64%,减小了高频下系统的驱动损耗,满足设计指标要求。