CMOS电流模式射频低噪声放大器

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由于低电压、低功耗及小体积的需要,移动通信设备的前端模拟射频电路与后端的数字电路应集成于一个芯片上。目前数字系统的工作电压及功耗可以做的非常低,而此低电压不适合模拟射频电路工作。因此,设计出低电压、低功耗的前端模拟射频电路从而实现单片集成成为目前研究的重点。低噪声放大器(LNA)作为无线射频接收系统前端的关键模块,其噪声性能直接影响着整个系统的噪声性能。所以设计出性能良好的低噪声放大器具有很重要的意义。本文采用电流模式方法来设计低噪声放大器,较传统的电压模式LNA具有更低的电压、功耗及更高的速度和工作频率。本文所作的工作及取得的成果如下:(1)提出了一种工作于2.4GHz的CMOS电流模式差分式低噪声放大器。它采用跨导式的差分电路结构——差分电压输入、电流输出。输入级采用差分共源对管;放大级由电流镜直接放大输入对管的漏极电流,避免了由电流到电压的转化级,从而简化了电路结构;输出是差分电流。该电路在1.2V供电电压下的功耗为6.26mW,噪声系数为1.45dB,增益为14.1dB,输入反射系数小于-15dB。(2)在前面提出的电流模式差分式低噪声放大器的基础上,提出了一种工作于3.1~10.6GHz的电流模式超宽带低噪声放大器。采用共栅晶体管输入,经由电流镜直接放大电流信号,输出信号为电流,得到了性能良好的LNA。该电路具有良好的增益平坦度,在整个工作频带内,增益为14~15.7 dB,S11<-8 dB,噪声系数为2.7~3.4dB。这些指标与最近发表的电压模式超宽带低噪声放大器相比,具有很大的优越性,很好地满足了射频电路对低噪声放大器的设计要求。(3)本文提出的电路采用TSMC RF CMOS 0.18μm工艺,由ADS2006软件仿真;并利用Candence软件对提出的电流模式差分式LNA进行了版图设计和后仿真,仿真结果与当前发表过的LNA相比,表现出了低噪声系数、低功耗以及结构简单等优势。
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