Graphene以及类graphene二维材料由于其低维度性和特殊的能带结构,展现出了优异的物理和化学性质,成为近十年来凝聚态领域的研究热点。同时,应变手段能够有效改变二维材料的性质,这使得二维材料在应变电子学领域具有潜在的应用价值。本文中,我们研究了悬浮石墨烯的压电电导性质和Fe3GeTe2薄膜的铁磁性应变调控。我们还研究了graphene/MoS2异质结的电学输运性质,探索了其界面处的物理行为。在第一章,我们概括介绍了二维材料领域的发展现状,以“材料按需”范式为脉络,分别介绍了二维材料的谷电子学,二维材料的铁磁性、二维材料的应变调控、二维材料异质结在场效应晶体管和光电探测方面的进展等。在第二章,我们详细介绍了二维材料机械剥离技术的发展和几种不同的定点转移技术,并讨论了异质结层间杂质问题和不稳定二维材料的性能退化问题。在第三章,我们利用压力电导显微镜技术研究了不同层数悬浮graphene的压电电导性质,发现了多层悬浮graphene正压电电导效应。通过与理论组合作,提出了应变调控下层内输运与层间相互作用的竞争机制,并利用非平衡格林函数以及第一性原理计算进行了详细的研究和模拟。我们的第一性原理计算结果很好地吻合了实验结果,并且解释了三层悬浮graphene正压电电导效应最强的原因。为了进一步将应变调控手段应用到低温输运测量中。在第四章,我们搭建了低温应力施加系统,并开发了相关的柔性衬底器件加工工艺,该系统可以对二维材料进行原位应变调控下电学输运研究,最大可以施加3%的拉伸应变。我们在聚酰亚胺薄膜衬底上制备了约30 nm厚Fe3GeTe2柔性霍尔电极结构器件,并利用该系统对其进行了铁磁性质的应变调控和磁阻输运研究。我们发现随着拉伸应变的增加,其铁磁-顺磁转变居里温度升高,霍尔电阻磁滞回线的窗口增大。表明拉伸应变能够增强Fe3GeTe2的铁磁性。对二维材料异质结及其界面的研究同样具有十分重要的意义。在第五章,我们利用PVA pick-up转移技术制备了 graphene/MoS2异质结。在低温电学输运测量中,我们观察到了异质结区域MoS2的空穴导电行为,结合graphene的转移曲线,我们猜测该行为可能来源于界面处MoS2向graphene的电子转移。我们进一步利用拉曼谱和光致荧光谱对异质结进行了表征,发现了异质结区域MoS2拉曼峰位的蓝移现象和光致荧光峰的显著减弱,表明graphene/MoS2异质结界面存在电荷转移。