原位外延生长YBCO薄膜及取向控制

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高质量的YBa2Cu3O 7 ??(YBCO)薄膜是许多超导器件的核心材料。在保证高的超导临界转变温度的前提下,不同的应用要求高度各向异性的YBCO薄膜具有特定的面外取向。例如:在需要传输大电流的情况,要求YBCO薄膜具有高度的c轴取向;而在制备本征Josephson结时,则可能要求YBCO薄膜具有a轴取向。不仅如此,面内取向也是获得高质量YBCO薄膜需要考虑的重要因素。因此,有必要对制备YBCO薄膜的工艺进行更深入的研究。本文采用激光脉冲沉积技术(PLD),在氧化镁(MgO)单晶衬底上
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过渡金属硫族化合物作为一种典型的二维材料,因其优异的光学、电学和机械等特性被广泛用于超薄电子或微型器件的制备。目前,对过渡金属硫族化合物的性质、制备方法及应用已经有大量的研究,但为能够实现大批量、高质量的可控生长,制备工艺仍在不断的改进中。本论文将主要围绕优化生长条件,生长大面积二硫化钼以及硫化钼钨合金薄膜。1.采用热解柠檬酸的方式制备出石墨烯量子点,对其进行荧光、紫外可见吸收谱、粒径等分析。2.