【摘 要】
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自从1982年Baliga发明IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 以来,由于它集功率MOSFET和BJT的优点于一身,故而在短时间内飞速发展,得到了广泛应用.与此同时,IGBT模型也有
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自从1982年Baliga发明IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 以来,由于它集功率MOSFET和BJT的优点于一身,故而在短时间内飞速发展,得到了广泛应用.与此同时,IGBT模型也有了很大的发展,出现了很多各式各样的模型,其中也有很多解析模型.然而这些解析模型几乎都是一维的,这些模型将低掺杂基区（LDB）的PNP区和MOSFET区一概而论,安全按PNP区处理;另外,一维模型面对器件导通时的诸多其他的二维效应也无能为力.该文回顾了IGBT的工作原理,浏览了当今国内外的IGBT模型.以PT-IGBT（穿通型）为例,建立了一个全新的二维静态解析模型.先将LDB分为PNP和MOSFET两个区域,再将MOSFET区细分为两个区.分别解各区域的二维载流子双极输运方程,获得了LDB区的载流子分布,推导出了IGBT静态I-V特性,最后,将此模型与Medici模拟结果做了对比,结果吻合.
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