【摘 要】
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近年来,随着相控阵雷达的发展和相控阵技术的进步,6～18GHz频带的应用领域愈加受到重视。雷达系统中的收发（T/R）组件采用单片集成的形式,不仅能满足军事应用中的需求,而且功耗小、体积小、成本低。低噪声放大器（LNA）作为接收链路的第一级,首先对微弱信号进行低噪声放大,其性能直接决定了接收链路的性能。因此一个具有一定增益、噪声性能良好的6～18GHz低噪声放大器对于T/R组件十分关键。论文采用40
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近年来,随着相控阵雷达的发展和相控阵技术的进步,6～18GHz频带的应用领域愈加受到重视。雷达系统中的收发（T/R）组件采用单片集成的形式,不仅能满足军事应用中的需求,而且功耗小、体积小、成本低。低噪声放大器（LNA）作为接收链路的第一级,首先对微弱信号进行低噪声放大,其性能直接决定了接收链路的性能。因此一个具有一定增益、噪声性能良好的6～18GHz低噪声放大器对于T/R组件十分关键。论文采用40nm CMOS工艺,设计一个带宽为6～18GHz的LNA。核心电路采用电流复用的两级共源（cascade）结构,输出匹配电路采用共栅结构。通过电阻并联负反馈结构完成宽带输入阻抗匹配,同时在高频处使噪声系数NF达到最小噪声系数NFmin。采用栅极峰化电感与漏极负载电感提升高频增益。论文给出了电路设计、前仿真、版图设计和路场混合仿真,仿真结果显示,在TT工艺角、27℃时,在6～18GHz频带内,低噪声放大器的功率增益范围为14.2～15.1d B,噪声系数为3.9～5.2d B,输入匹配S11小于-11.7d B,输出匹配S22小于-11.8d B,输入1d B压缩点大于-17.4d Bm,工作电压为1.2V,总电流为23.8m A。本文中低噪声放大器的各项性能满足指标要求,可应用于相控阵雷达系统中。
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