电荷掺杂调控VO2薄膜金属-绝缘体转变的同步辐射研究

来源 :中国科学技术大学 | 被引量 : 3次 | 上传用户：Pleasehelp

【摘要】

：

VO_2具有接近室温的金属-绝缘体相变(MIT)温度(68 ℃),相变过程伴随着电学、光学、磁学性质的突变,其中蕴含丰富的物理内涵,对该相变行为的调控和机理的研究是当前的热门领域,其中对Peierls结构相变和Mott电子相变这两种机理的争论尤为突出。研究表明两种相变机理相辅相成,但哪一种机理处于主导地位仍不清楚。本文的研究目的是选用N离子注入和表面电荷掺杂这两种实验方法,考察Mott电子相变机制

【作者】

：

王凯

【机构】

：

中国科学技术大学

【出处】

：

中国科学技术大学

【发表日期】

：

2018年04期

【关键词】

：

氧化钒薄膜金属相绝缘体相变机制离子注入电荷掺杂

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