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散粒噪声是介观物理中一个活跃的研究领域。由于从散粒噪声中可以提取附加的信息,因此对散粒噪声的研究为介观输运性质的研究提供了强有力的工具。在本文中,我们采用散射方法研究了在零温零频极限下三垒半导体异质结的隧穿概率和噪声势,进一步对Rashba自旋-轨道耦合下受限弹道量子线中的噪声进行了理论研究。主要结论概述如下:（1）在零温零频极限下,我们计算了GaAs/AlxGa1-xAs三势垒半导体异质结在外加电场E不同时隧穿概率随电子入射能量的变化,以及在电子入射能量不同时隧穿概率和噪声势随外加电场的变化情况。我们发现:在三垒异质结中隧穿概率随着电子入射能量的增加发生了共振劈裂现象,随着外加电场的逐步增加,共振劈裂峰值之间的距离也随之加宽,当偏压达到0.25V时,隧穿概率的共振劈裂现象消失。然后我们利用电子的入射能量不同时得到的隧穿概率计算了噪声势随偏压的变化情况。电子的入射能量取值对应着不同的外加电场时隧穿概率的共振劈裂峰值,当电子的入射能量较小时,隧穿概率出现两个波峰;随着电子入射能量的增加,隧穿概率只出现一个峰值。在Va远离0.0V、隧穿概率等于1/2时,噪声势出现峰值,隧穿概率波峰处对应的噪声被抑制;在Va趋近于0.0V时,无论隧穿概率为何值,噪声都被完全抑制。（2）我们理论上研究了在Rashba自旋轨道耦合（SOI）下弹道量子线结构中的电子输运特性。在弹道导体中,电子可以不经任何散射碰撞而通过导体。而Rashba自旋-轨道耦合效应的存在,使得弹道量子线中出现部分电子输运成为了可能,从而引起完全由Rashba自旋-轨道耦合引起的散粒噪声,可以获得Rashab自旋-轨道耦合引起的散粒噪声的大量信息。我们还发现在一个通道完全打开的情况下电子可以不经过任何散射隧穿量子通道,这样,在电导平台处的散粒噪声被完全抑制。随着费米能量和Rashba自旋-轨道耦合强度的改变,我们得到由Rashba自旋-轨道耦合引起的散粒噪声的变化趋势。最后,我们还给出了由Rashba自旋-轨道耦合引起的散粒噪声和费米能量之间的联系。由此我们理论上提供了一个可以用散粒噪声的方法来测量自旋-轨道耦合强度的方法。