在本文中,分别研究了三种不同的材料:氮化硅(SiNx),氮化硼(BN)纳米棒和硅纳米线在硅基衬底上的生长.氮化硅由于其优异的性质,在包括微电子和光电子的众多领域得到了广泛的应用.本文在系统综述当前太阳电池用氮化硅薄膜研究进展的基础上,应用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)系统,制备了同时具有减反射作用和钝化作用的氮化硅薄膜;系统地研究了本实验系统上氮化硅薄膜的最佳生长参数以及PECVD生长氮化硅薄膜的物理化学性质;同时还考察了生长过程中衬底温度、硅烷氨气流量和射频功率对薄膜折射率和生长速率等的影响;最后研究了氮化硅薄膜对多晶硅材料和太阳电池器件的钝化作用.实验得到的一系列成果将有助于理解氮化硅薄膜的生长机理以及开发自主知识产权的高效太阳能电池.本文还利用PECVD在硅衬底上成功生长了氮化硼纳米棒材料.在一定的生长条件下得到的样品SEM图象显示生成的氮化硼纳米棒形成了网格状的形貌.纳米棒的直径和长度分别在几百纳米和几微米范围内.通过改变生长条件如温度,氨气流量和生长时间等得到的不同样品形貌,研究了氮化硼纳米棒的生长机理.最后,利用一步热处理法和快速热处理法分别在镀金硅衬底上成功生长了一维纳米硅丝.通过对样品的扫描电镜(SEM)观测发现只有在特定的生长条件下才能生成纳米硅丝.对于一步热处理法,在T=1150℃和生长时间为10mins的条件下,生成的纳米硅丝直径和长度分别在20~150nm和5μm~20μm;在T=1130℃和生长时间为20mins的条件下,纳米硅丝直径和长度分别在100~250nm和几到几十微米.而在其他生长条件下都没有观测到纳米硅丝的生成.利用30秒的快速热处理法发现只有在温度T=1150℃~1200℃下才能得到纳米硅丝.并且在此范围内随着温度的升高,纳米丝的直径增加,同时长度缩短.对上述热处理法制备纳米硅丝的微观机理进行了探讨.