近年来,对高压环境下的半导体材料及相关低维系统(例如量子点、量子阱和超晶格等)性质的研究已经成为凝聚态物理研究的热点之一。不少作者对压力影响下的半导体能带结构、晶格振动及相关物理问题进行了广泛的研究,但是对流体静压力下半导体异质结共振隧穿的研究还有待深入。本文结合国内外研究现状,从半导体异质结材料和能带结构出发,对在流体静压力下Ⅲ-Ⅴ族化合物所组成半导体材料的共振隧穿及I-V特性做了详细的理论研究和分析计算。首先利用传递矩阵方法精确计算了一维定态薛定谔方程,求解出电子穿过任意阶势垒的透射系数,进一步研究了该透射系数与有效质量和势垒参数的关系。数值计算结果表明,有效质量和势垒参数对透射系数的影响非常重要其次根据介观压阻效应,对在流体静压力下影响透射系数和隧穿电流的各个参数的进行分析。主要包括对晶格常数和体积、介电常数、有效质量、势垒高度等在流体静压力的作用下的变化、趋势和具体数值进行分析和计算,为后面所进行透射系数和I-V曲线随力学变化的关系提供了理论基础。最后采用两种Ⅲ-Ⅴ族量子阱体系,及量子阱体系,讨论了在不同流体静压力下透射系数和I-V曲线的变化,仿真了上述量子阱体系在不同流体静压力下的隧穿电流、电流峰谷比的变化并计算出准束缚态能级。得到上述的变化关系及值,找出最优的材料,为在设计器件上提供相应的参考。Al x Ga1? xAs/GaAsAl x Ga1?xN/GaN综上所述,本论文通过对不同半导体材料组成的量子阱薄膜结构的透射系数和I-V特性的理论研究以及流体静压力对其的影响或引起超晶格薄膜材料构成的多量子阱的I-V曲线的变化,找到曲线随量子阱结构参数和力学信号的变化关系,为半导体器件在不同环境下的性能影响提供理论依据。