本论文采用水热合成方法，制备、表征了一系列具有一维(如Se、Te、Ag2Te、HgTe)到三维(如CuS、HgS、HgSe、CdS、PbS)纳米结构的硫族半导体材料，研究了合成条件对微粒形貌的影响，阐述了各种结构的形成机理，成功合成了硫族单质Se和Te纳米棒和纳米管，硫族化合物Ag2Te纳米管、HgTe纳米棒。系统地探讨了实验条件对微粒形貌的影响；合成了由厚度仅为20-30nm的纳米片组成的球状、菊花状、棒状等各种形貌的硫化铜；通过水热溶剂热法合成了树枝状的HgS、PbS和CdS纳米晶，SEM和TEM表明HgS和CdS呈雪花状，在空间中具有六次对称的二维结构，而PbS则显示出三维结构的八面体星形状，SAED和HRTEM说明了三种化合物的单根树枝均为单晶结构，系统地探讨了各种实验条件对微粒形貌的影响因素，详细分析了树枝状结构形成的生长模型和形成机理；合成了少见的由六方板块(厚度为50nm左右)组成的塔状HgSe纳米结构，系统探讨了实验条件对微粒形貌的影响因素。结果表明，氨水和反应物的比例对塔状结构的形成具有重要的作用。