阈上电离第一次被发现就被定义为强场物理的核心。早期的研究发现在ATI谱上有一些明显的增强电离峰。这种增强现象涉及到里德堡态多光子共振。然而考虑到散射过程的强场近理论采用短程势也能模拟出实验和理论的结果，包含短程势的强场近似计算没有中间一系列激发态。这与里德堡态多光子共振的解释相矛盾。激光诱导态被提出来解释共振增强并且没有否定“通道关闭”的有效性。最近，实验和数值求解含时薛定谔方程的计算试图将“通道关闭”和里德堡态散射电子共振这两种看似对立的解释相结合。但是关于这一命题的讨论还在继续，高阶阈上电离谱的共振增强现象仍然需要新的理论去研究。本论文的主要工作有以下几点：　　首先，我们对Freeman共振和类共振增强阈上电离谱进行回顾。关于阈上电离谱中高能部分共振，有两种不同的解释。一种认为是多光子电离“通道关闭”导致的破坏干涉或者有益干涉；另一种解释从共振的基本概念出发，将增强效应与激发态共振联系在一起。　　其次，我们用普适量子轨迹蒙特卡洛方法研究库仑势效应对高阶阈上电离谱中类共振增强的影响。我们的理论计算中分别采用长程势、短程势和无库仑势。计算中采用长程势时类共振增强现象最明显，采用短程势时类共振增强快速减弱，采用无库仑势时阈上电离谱高能部分的增强现象完全消失。我们分析了高阶阈上电离谱中类共振增强最大峰值处的轨迹和相位分布。我们发现多次散射电子在类共振增强的形成中起着重要的作用。所以，库仑势效应对高阶阈上电离中的类共振增强起着决定作用。　　最后，我们对本论文进行总结和展望。