磁性斯格明子,由于它的稳定性、小尺寸和所需相当低的驱动电流等优点,有望成为代替磁畴壁的下一代的数据存储的基本单元。然而,由于受到马格努斯力的作用,斯格明子会在偏离电流的方向运动,因此可能在赛道的边缘处湮灭,造成信息的丢失。本论文运用微磁学的方法理论,采用OOMMF软件进行三维模拟,计算了斯格明子在通过调制磁晶各向异性来优化的两种赛道中的运动情况,主要结果如下:1.提出了一种基于斯格明子的新型赛道结构,即在Co Pt赛道的两侧边缘对称地加上高K材料,该赛道能很好地将斯格明子限制在赛道的中间区域,并且还能解决斯格明子在赛道末端的堵塞和在边缘处的湮灭问题。此外,斯格明子在靠近赛道的边界处会发生横向和纵向的振荡行为,但赛道两侧边缘的DMI值对斯格明子的运动几乎无影响。另外,通过调节赛道的材料和几何参数优化赛道设计,能实现较小的驱动电流获得较大的斯格明子运动速度。2.提出了一种双通道的赛道结构,更新和优化了在赛道中二进制数据的表示方式。模拟结果显示,通过改变D、w_m、K_uv的值,可以调节斯格明子在单通道或双通道中运动。