【摘 要】
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抗辐射集成电路在空间应用中起着保障系统正常运行不可或缺的作用,单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)已经成为空间应用中发生软错误的主要原因。先前的研究工作主要针对65nm及以上工艺,对单粒子瞬态及多瞬态的特性机理进行了仿真和实验研究,发现传播引起的脉冲展宽和寄生双极放大效应等因素使得SET脉冲宽度的趋势越来越复杂,单粒子瞬态脉冲的平均宽度以及最小宽度随着工艺尺寸的缩小而
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抗辐射集成电路在空间应用中起着保障系统正常运行不可或缺的作用,单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)已经成为空间应用中发生软错误的主要原因。先前的研究工作主要针对65nm及以上工艺,对单粒子瞬态及多瞬态的特性机理进行了仿真和实验研究,发现传播引起的脉冲展宽和寄生双极放大效应等因素使得SET脉冲宽度的趋势越来越复杂,单粒子瞬态脉冲的平均宽度以及最小宽度随着工艺尺寸的缩小而减小,先前广泛使用的测量电路的在先进工艺下的适用性有待讨论,开发高性能的抗辐射集成电路芯片需要先进工艺下的实验数据支撑。本文基于28nm体硅平面器件工艺,对单粒子瞬态脉冲无损传播的临界脉冲宽度和传播延迟的关系进行了研究,得到了两者的线性关系模型,同时发现临界脉冲宽度和最小能传播脉冲宽度相当,为了研究SET脉冲宽度的特征,在商用28nm工艺下制造了单粒子瞬态测试芯片,并在重离子加速器条件下进行了地面辐照实验,5种不同LET的重离子进行了轰击,讨论了器件敏感体积的减小和临界电荷减小对SET的影响,同时证明了较小宽度的脉冲对电路影响的贡献越来越大,对SET脉冲的片上测量方法进行了总结与分析,提出了使用脉冲展宽器以克服脉冲捕获测量电路阈值较高的缺点,有利于提高对SET截面全面评估的精确度。
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