近年来,高效率、低成本的卤化钙钛矿太阳能电池被认为是近期实现商业化的最有前途的光伏技术之一。然而,其在实际工作条件下对水分、温度、光的长期稳定性,仍然是一个必须要解决的挑战。目前提高钙钛矿太阳能电池稳定性的措施主要包括改善钙钛矿活性层的自身稳定性,改善电子传输层、空穴传输层,电极层以及通过封装来提高器件的稳定性等。本论文基于反式平面钙钛矿太阳能电池,通过使用廉价稳定的半金属锑（Sb）作为常用电极材料前的中间层,并在此基础上,进行了钙钛矿太阳能电池器件的封装工艺的研究,主要研究内容如下:（1）通过简单的热蒸发技术在电极层下部生长出紧凑致密的锑中间层,制备出结构为FTO/NiMgLiO/Cs_0.17FA_0.83Pb(Br_0.17I_0.83)₃/PCBM/BCP/Sb/Ag的器件,通过XPS、XRD、SEM等测试,证明了锑中间层作为渗透屏障,隔绝了外部水分的侵入,同时抑制了内部离子的扩散,包括银离子向内扩散到钙钛矿层中以及碘离子向外扩散到银电极。同时,优化了锑电极中间层的厚度,在光电转换效率下降较小的情况下（3%）,显著提升了器件的光,湿度和热稳定性。（2）在基于锑电极中间层的钙钛矿太阳能电池的基础上,设计了一种针对1 cm²有效面积钙钛矿太阳能电池的器件和封装结构,比较了不同封装材料对封装器件光伏性能和稳定性的影响,优化了封装工艺,最终显著提高了封装器件在手套箱内氮气中暗态85℃老化的稳定性。