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基于PCB埋入封装的SiC功率模块和应用研究
【摘 要】
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SiC功率器件逐渐走向成熟,但其主流封装技术仍采用铝线键合式封装,发展相对滞后,成为制约SiC功率器件发挥应有性能的瓶颈,为充分发挥SiC功率器件的高频、高温特性,开发新的封装技术并进行应用十分重要。当前,国内外研究了诸多新型封装技术。因具有轻、薄、小型化等额外优点,PCB埋入式封装成为一种极具潜力的SiC功率器件封装技术。然而,目前PCB埋入式封装多采用非对称结构设计,且模块封装结构和端子接口不
【出 处】
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浙江大学
【发表日期】
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2021年08期
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