本文利用微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射(MW-ECR plasma enhanced magnetron sputtering)的方法,采用Al靶和高纯氮气、氩气混合气体制备了AlN薄膜。首先在基底不加热时,研究不同沉积参数对AlN薄膜的影响；然后在基底加热时,讨论基底温度对AlN薄膜的影响。主要的测试手段有傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)、椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度仪等。当基底不加热时,FT-IR显示过短的沉积时间(十分钟、三十分钟)制备的薄膜缺陷多、密度低,而三小时的沉积时间制备的薄膜化学结构良好。溅射功率、氮氩流量比对AlN薄膜的沉积速率、结构和硬度等有不同程度的影响：溅射功率的升高导致薄膜沉积速率加快、残余应力减少和硬度增加；氮气流量的减少导致沉积速率加快和硬度增加。当溅射功率为500W,氮气流量为2SCCM时,薄膜的硬度最强,化学结构最好,且在此条件下制备的AlN薄膜,其直流电阻远远超过作为绝缘膜的要求,可以作为刀具热电偶传感器的绝缘膜。当基底加热时,FT-IR显示不同的氮气流量下基底温度升高薄膜会出现不同的化学结构：氮气流量为3SCCM时,基底加热会导致薄膜中杂质成分的增加,化学结构变差；而氮气流量为2SCCM时,基底加热能够使AlN薄膜变得更致密,并且Al-N键振动加强。XRD结果显示氮气流量为2SCCM (?)寸,薄膜具有AlN(100)择优取向,且基底加热使(100)晶面衍射峰增强,晶粒尺寸变大。椭偏仪显示基底加热使薄膜的折射率增大。