【摘 要】
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SiC是重要的抗辐照材料，由于具有众多的优良特性，近年来受到越来越多的关注。作为结构功能材料，SiC/SiC复合材料在聚变堆面向等离子体元件的制备方面具有巨大的应用潜力。这些产品在使用过程，因受到载能离子的辐照而产生大量的缺陷，进而导致电学、光学、热学和机械等性能的退化。退化程度直接决定了SiC使用的可行性和可靠性，所以充分认识辐照缺陷的形成机制、微观构型及其对宏观物性的影响非常重要。我们首先利用
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SiC是重要的抗辐照材料，由于具有众多的优良特性，近年来受到越来越多的关注。作为结构功能材料，SiC/SiC复合材料在聚变堆面向等离子体元件的制备方面具有巨大的应用潜力。这些产品在使用过程，因受到载能离子的辐照而产生大量的缺陷，进而导致电学、光学、热学和机械等性能的退化。退化程度直接决定了SiC使用的可行性和可靠性，所以充分认识辐照缺陷的形成机制、微观构型及其对宏观物性的影响非常重要。我们首先利用霍尔效应测试，对未辐照的掺氮6H-SiC的半导体性能进行了表征，测试并计算出了n型掺氮6H-SiC单晶的
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