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聚噻吩及其衍生物由于其独特的电化学性质、良好的环境稳定性和易制备等物理化学性质,在材料科学领域备受关注,并在电导体、非线性光学器件、微波吸收材料等方面被进行了广泛的研究。本论文通过化学氧化法或电化学法制备了三种聚三噻吩及其衍生物和采用化学氧化原位聚合法在碳纳米管(CNT)表面包覆聚合物制备了三种新型复合物。并利用各种测试方法对产物进行了表征和测定了其比电容和导电率。主要的研究成果如下:1.通过Stille反应合成了3’,4’-乙撑二氧-2,2’:5’,2"-三噻吩(TET)和5,7-二(2-噻吩基)[3,4-b]并[1.4]二嗪(PZT3)两种共轭化合物。并通过核磁氢谱,紫外-可见光谱等方法对目标产物进行了确认。2.在0～5℃下,以FeCl3为氧化剂,在氯仿溶液中分别以3’,4’-乙撑二氧-2,2’:5’,2"-三噻吩(TET),三噻吩(TT)和5,7-二(2-噻吩基)噻[3,4-b]并[1.4]二嗪(PZT3)作为单体,合成了三种聚合物:聚(3’,4’-乙撑二氧-2,2’:5’,2"-三噻吩) (PTET),聚三噻吩(PTT)和聚(5,7-二(2-噻吩基)噻[3,4-b]并[1.4]二嗪) (Poly(PZT3))。其中他们的能隙分别为2.05,2.40,1.61 eV;导电率数量级分别为10-3,10-6,10-4;比电容平均值分别为130,121,83 F/g。3.在四乙基四氟硼酸铵/乙腈体系中,以3’,4’-乙撑二氧-2,2’:5’,2"-三噻吩(TET)为单体,在不同电位下电化学聚合了一系列聚(3’,4’-乙撑二氧-2,2’:5’,2"-三噻吩) (PTET)。并以PTET的比电容为标准,确定了TET最佳聚合电位为1.05 V。4.通过紫外-可见光谱研究了聚(3’,4’-乙撑二氧-2,2’:5’,2"-三噻吩) (PTET)在不同磺酸和不同溶剂中的掺杂行为。研究结果表明:四种溶剂对磺酸掺杂PTET的影响大小为:AN>CHCl3>THF>DMF;三种磺酸掺杂PTET的难易程度为:NSA>p-TSA>MSA。5.采用化学氧化原位聚合方法在碳纳米管(CNT)表面包覆三种聚合物,分别制备了碳纳米管-聚(3’,4’-乙撑二氧-2,2’:5’,2"-三噻吩) (CNT/PTET),碳纳米管-聚三噻吩(CNT/ PTT)和碳纳米管-聚(5,7-二(2-噻吩基)噻[3,4-b]并[1.4]二嗪) (CNT/Poly(PZT3))三种核壳结构的纳米复合物。测试表明复合物具有优良的电化学性质。