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2000年,美国休斯顿大学的科学家S. Q. Liu等人发现电脉冲触发可逆电阻转变效应,他们并提出RRAM(resistance random access memory)概念,同时发现RRAM还具有高响应速度、尺寸伸缩性强、多位存储、结构简单等优点。从此, RRAM的研究已成为材料学物理学、电子器件的领域研究热点。人们在机理研究、材料探索、以及器件研制等方面都取得了长足进展。RRAM可能成为通用存储器,但是性能指标有待进一步优化。由于RRAM是一种全新的存储技术,目前,电阻开关效应真正的机制存在争