本文在有效质量近似下,以非磁性半导体材料GaSb生长而成的多层结构作为研究对象,计入k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应,研究了自旋极化共振隧穿的相关问题：透射系数、隧穿寿命、极化率等.首先,研究了对称双势垒结构Al-xGa1-xSb(x=0.15/0.3/0/0.3/0.15)中电子自旋极化输运的动力学特性.考虑k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应,结合转移矩阵和龙格一库塔方法来解含时薛定谔方程,进而讨论了电子在此结构中的透射系数、隧穿寿命与极化率等问题.研究发现,计入k3Dresselhaus自旋轨道耦合项后,不同自旋态电子的共振透射峰发生了劈裂,自旋向上和自旋向下电子分别在各自共振能量处出现共振峰,电子以这些共振能级为入射能量时,将出现100%的极化；而且自旋向上和自旋向下电子的构建时间和逃逸时间不同,这可能是造成自旋极化的原因.当在不同自旋态电子的共振能级下入射时,经历一定时间以后,都达到稳定的完全极化.另外,还研究了对称多势垒结构GaSb/Alo.3Gao.7Sb中势垒个数N对透射系数的影响,及在Dresselhaus自旋轨道耦下的电子自旋极化隧穿.研究表明,由于周期结构中的阱间耦合,电子的共振能级发生劈裂.对应势垒个数N时,将劈裂成N-1个共振峰.另外,计入Dresselhaus自旋轨道耦合效应的影响,透射曲线出现明显的自旋劈裂,自旋向下电子对应的共振峰向低能区移动,而自旋向上电子对应的共振峰向高能区移动.并且二者都随势垒个数的增加而出现劈裂,劈裂的原则与非自旋极化情形一致.随着入射能量的变化,电子自旋极化率出现自旋振荡,并且随着周期个数的增加,这种振荡更为剧烈,同时出现完全自旋极化的共振能量态.