本论文主要研究了低浓度的阴离子和阳离子掺杂对La₂CuO₄系统中的相分离的影响。首先,通过细致调节样品制备工艺,得到一组过氧量微小变化的La₂CuO_4+δ样品,发现与相分离的产生相对应的过量氧的浓度存在一个下限。过氧量浓度低于下限时,无相分离发生,而反铁磁温度随氧含量的增加而降低,同时,反铁磁转变峰也随之展宽。一旦过量氧浓度超过该下限,相分离便产生,系统表现为约35K的超导相和反铁磁相的共存,此时的反铁磁转变温度在一定范围内有所回升。为了考察反铁磁长程序与相分离及超导电性之间的关系,我们又对La₂CuO_4+δ系统作了一系列掺铜的工作。磁测量及其它输运性质测量表明:由于Cu²⁺具有1/2自旋,铜掺杂主要是通过增强系统的长程反铁磁关联使得相分离容易发生,相分离温度升高。与此同时,载流子浓度也略有增高,这是铜取代镧所致。我们首次在室温下在掺铜样品的ab面上观察到条纹结构,并且也观察到了与C方向有关的非公度调制。结合输运性质测量等结果的分析认为这些条纹结构和非公度调制与相分离相关,可能是一种相分离之后的自旋和电荷的有序态。为了认识反铁磁增强和空穴浓度增加是促进相分离的必要条件,我们进行了低浓度锶掺杂的工作,发现掺锶虽然有效地产生空穴,但却显著破坏反铁磁长程关联,导致相分离难以发生。通过比较各种掺杂质的作用,我们认为,相分离的发生是以空穴的可迁移性为条件的。空穴能否经迁移到偏聚取决于反铁磁交换作用和长程库仑势之间的竞争,也就是空穴能否通过迁移形成偏聚使得系统保持在最低能量状态。相分离的最显著的物理特征是:超导电性可在平均空穴浓度远低于超导相变所对应的载流子浓度的情况下出现,且其Tc可达到最佳空穴掺杂时的水平。