【摘 要】
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作为半导体器件的重要制造技术之一,光刻技术受到了人们的越来越多关注,面临着更多新的挑战。激光干涉光刻能产生周期性点、线结构,而且该技术还具备设备简单、低成本、高分
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作为半导体器件的重要制造技术之一,光刻技术受到了人们的越来越多关注,面临着更多新的挑战。激光干涉光刻能产生周期性点、线结构,而且该技术还具备设备简单、低成本、高分辨率、大面积等特点,是近年来研究的热点。本文对激光干涉光刻的工艺和特征尺寸极限进行了讨论研究。先是设计了一个双光束系统,然后围绕着激光干涉光刻图案特征尺寸的影响因素,如波长、入射角、偏振方向、能量密度等,进行了理论分析和计算机模拟,部分作出了实验论证。最后在单一改变能量密度变量的条件下,对激光干涉光刻的极限尺度进行了研究。
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