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本文通过对LTCC、MCM-C和MCM-D三种类型的多芯片组件（MCM）多层布线基板进行-55℃——+125℃温度循环和125℃高温存储试验，并根据其通孔电阻、膜电阻、膜电容和方块电阻值在试验前后的变化，总结了不同样品的通孔接触电阻、导体膜和介质膜在温度应力下的退化规律，而且在全面评估三类样品的长期可靠性的基础上，针对其中的不合格品和试验中出现的失效样品进行了失效分析，给出了失效模式和失效机理，并提出了相应的改进措施。从而在评估分析MCM多层布线基板的可靠性方面做出了有益探索，而且从测试图形的设计、自动测量系统的组建、测量方法直到可靠性试验数据的处理和统计分析以及失效样品的微分析提供了一套切实可行的方法。