该论文的主要工作是研究磷化铟材料中与化学配比有关的缺陷的产生和抑制现象,在此基础上揭示了磷化铟材料中一些缺陷的结构属性和形成机理.通过研究纯磷气氛和磷化铁气氛下退火处理后的磷化铟材料中深能级缺陷,首次明确地证明了在符合化学配比的条件下可以有效地避免一些深能级缺陷的产生,从而减小了由此造成的电学补偿作用,显著提高磷化铟材料特别是半绝缘磷化铟材料的质量.根据掌握的这一缺陷形成的机理,我们通过控制掺铁半绝缘磷化铟材料的生长条件,制备出了补偿缺陷浓度很低、电学性能参数优良的半绝缘磷化铟材料.由这项研究结果促成的材料生长的工艺技术具有重要的实际应用价值.通过对晶体的微缺陷和结构缺陷的研究发现:(一)与P气氛相比在FeP<,2>气氛下的退火处理能有效的改善晶体结构的完整性和电学性质的均匀性.其原因被认为是:在FeP<,2>气氛下退火过程中,由于Fe原子的内扩散正好抵消了由于富P而引起的化学配比的偏离,使得由FeP<,2>气氛下退火得到的材料的化学配比达到准理想的状态.使得材料具有非常完整的晶格点阵结构和最低的所有类型的固有缺陷的浓度.(二)在材料中的位错密度几乎不受退火处理的影响的情况下,由于固有缺陷浓度很低使得退火的过程中位错不能在滑移面之间进行攀移只能发生滑移,从而导致材料中位错的聚集程度更高,大大地降低了位错对材料晶体点阵的影响.对各种高阻和低阻InP材料中与非化学配比有关的深能级缺陷进行了分析和讨论,得出了一致性的结论:P气氛下退火的InP材料中的化学配比趋向富磷,产生的深能级缺陷的数量和浓度高,降低了材料的电学性质;而在FeP<,2>气氛下退火处理InP材料相当于化学配比的条件,材料中的缺陷的数量和浓度均很低,产生了明显的缺陷抑制现象.这样的磷化铟材料具有优越的电学性质.该文的实验结果还表明,在化学配比的条件下,Fe原子通过扩散进入材料内部可有效替位占据铟位,具有极高的激活效率,这是提高掺铁效率制备高质量半绝缘磷化铟材料的关键.