碳基薄膜，包含石墨烯以及类金刚石薄膜，因其独特的特性成为碳家族新型材料的研究焦点，类金刚石薄膜以及石墨烯的生产工艺已经发展得较为成熟，但依然存在着制备工艺复杂、成本高昂等普遍的问题。本课题以实验组的碳质中间相液晶为前驱体，采用工艺简单的热解法来制备石墨烯薄膜以及类金刚石薄膜，在碳化硅表面热解生长出石墨烯薄膜，硅片表面是sp2与sp3共存的碳基薄膜，在不锈钢表面生长出类金刚石薄膜，同时结合实验基础研究探讨不同基底对于碳基薄膜的生长诱导作用。针对这个目标，本课题主要研究了温度的不同，碳质中间相前驱体含量的不同、沉积次数的不同，单晶硅、碳化硅、不锈钢不同基底表面碳基薄膜的变化过程。结果显示碳化硅表面能成长出表征特性良好的石墨烯薄膜，硅片表面在低温能生长出石墨烯薄膜，而其共同的特征是随着高温碳源的逐渐增加，有向类金刚石薄膜转变的倾向。课题在于从实用的角度利用热解法通过工艺参数的控制与基底的选择来制备相应的碳基薄膜或者器件，并且对于石墨烯向类金刚石薄膜转变做了初步的探索。实际实验中的石墨烯单层原子是以三维褶皱的形式存在，且没有石墨结构层间范德华力的约束，那么它在一定条件诱发下是能够向类金刚石转变的。