ZnO压敏电阻由于具有优良的非线性特性、大的浪涌吸收能力以及较高的工作稳定性在电子、电力领域得到了广泛应用,自1968年问世以来大量取代SiC陶瓷。早期的压敏电阻主要用于各种电器设备和避雷器作为过电压保护和浪涌抑制。低压压敏电阻可广泛用于汽车工业、通讯设备、微型电机及各种电子元器件的保护,市场前景十分广阔。制备低压ZnO压敏电阻是近期压敏电阻的研究热点和未来主要发展方向。本论文研究了掺杂量及烧结工艺对ZnO压敏电阻重要特性的影响,并在实验研究的基础上进行了一些理论和模型分析。主要的工作如下:　　本文研究了ZnO压敏电阻的性能、用途、分类、研究动态和发展趋势;讨论了ZnO压敏电阻微观结构中晶粒、晶界的结构、组成及性能对ZnO压敏电阻电学性能的影响;分析了ZnO晶粒半导特性、ZnO压敏电阻晶界能带结构及晶界能带导电的机理。　　研究了制备低压ZnO压敏电阻的基本工艺和方法,对各种氧化物的添加及量的大小对电性能和微观结构的影响作了研究分析,得出了比较理想的配方,并对制备工艺和烧结制度作了优化。　　研究了烧结工艺对ZnO压敏电阻电性能的影响。研究发现,烧结温度、保温时间和降温速率都对材料的压敏特性和介电性能有重要的影响。接着,通过XRD和ESEM对所制备的ZnO压敏陶瓷样品的晶粒和晶界进行观察、分析和讨论,确定了晶粒和晶界对ZnO压敏电阻电性能的贡献。