静电感应晶体管(SIT)是一种具有类真空三极管特性的新型半导体器件,具有功率大、增益高、跨导大和噪声低等优异性能。本文分析了SIT沟道势垒形成机理,描述了沟道势垒对器件噪声的影响。以此为基础研究了SIT散粒噪声和热噪声的形成原因,建立了SIT噪声模型。本文通过分析SIT的电场和电势分布,了解了SIT沟道势垒的形成及变化是其噪声产生的根本原因,由此对SIT正常工作时产生的散粒噪声和热噪声进行了详细分析。本文分析了SIT载流子传输特性,了解沟道中形成漏电流的载流子必定要越过沟道势垒,才能到达漏极形成漏电流。通过对散粒噪声产生条件的分析,了解了当有直流流过并且存在电荷载体越过电位壁垒时,必定会产生散粒噪声。因此得到了在SIT正常工作时也必定会产生散粒噪声的结论。本文根据散粒噪声理论以及SIT势垒模型和电流特性,建立了SIT散粒噪声的计算模型。结合场效应晶体管沟道热噪声模型,经过适当的结构近似,得到了SIT热噪声的近似计算模型。通过电子器件噪声相关性原理,在SIT散粒噪声和热噪声模型的基础上,建立了SIT白噪声的综合计算模型。通过对SIT高增益、高跨导和低噪声等性能的分析,本文以SIT为基础设计了一款应用于对讲机系统的压控振荡器,在SIT噪声模型的基础上分析了压控振荡器相位噪声产生的原理。通过对流片封装的SIT进行实测发现,SIT完全符合振荡器对增益和跨导的要求。通过实际的计算分析设计了电路结构,确定了各元器件的参数,并对设计的电路进行了测试,测试结果显示本文设计的压控振荡器达到了预期的设计目标。