随着集成电路器件尺寸的缩小,晶体管的速度越来越快,互连线的寄生电容和分布电阻所导致的传输时延逐渐增大。为了降低互连时延,金属接触和通孔生产工艺经历了巨大变革。氮化钛作为一种低电阻率,高的热和化学稳定性的介质材料广泛应用于金属接触和层间通孔工艺中。在0.18μm到90nm工艺中,物理溅射淀积的薄膜将无法满足不断增加的高纵横比结构的台阶覆盖。而CVD工艺以其良好的台阶覆盖能力以及可在低衬底温度淀积的潜力成为人们最为关心的问题之一。本文以金属有机化学气相淀积方式制作氮化钛薄膜阻挡层为题展开研究,介绍了氮化钛的MOCVD生产工艺过程,相关腔体原理,薄膜分析评价方法,通过比较数据揭示了相关工艺参数对氮化钛薄膜成长特性的影响,进而组织一系列实验从台阶覆盖性,薄膜均匀性,颗粒控制,杂质含量,电学特性等方面论述其工艺特性。实验结果证明,优化后的预刻蚀,钛淀积和氮化钛工艺可以达到很好台阶覆盖性,在高宽比6:1的情况下,接触孔的底部台阶覆盖性可以满足70%;等离子处理后的薄膜内C杂质浓度可以降到3.6at%.膜厚非均匀性(1σ)达到5%以下,改善后的TiN有着更低的电阻率,同时在实际生产中提高了6%的良率。