微波等离子体灯(LEP)是二十世纪出现的一种新型光源,它以其发光光谱是接近太阳光光谱的连续谱优势使得它成为二十一世纪光源领域主要研究方向之一。本文主要的工作内容是微波等离子体灯射频源部分设计,射频源输出一个420MHz-470MHz的扫频信号,输出功率达31dBm,功率平坦度小于?0.6dB。整个射频源作为末级放大器的输入,推动末级放大器使其输出达到200W,射频源的设计主要包括射频信号发生器的设计和两级放大器的设计。射频信号发生器部分采用ADI公司的锁相环芯片ADF4350来搭建,通过对其内部锁存器进行合理的配置可以输出一个420MHz-470MHz扫频信号。将芯片的两路输出通过巴伦结构合并起来,我们可以使输出功率达到3.5dBm左右。射频放大器部分采用两级放大器级联起来的方案,芯片分别用飞思卡尔公司的MMG3009T1和MMG3006NT1集成芯片,在小信号S参数理论的基础上实现的输入和输出的匹配,使两级放大器在工作频带范围内增益大28dB,增益平坦度小于?1dB。通过PCB制版、调试最终得到了满足设计要求的射频源,该射频源达到了微波等离子灯系统中射频源的基本要求。随着微波等离子体灯进一步研究,高稳定度,高效率、高线性度、高速频率切换的射频源的需求日益明显。