目前电子产品朝着轻、薄、短、小化的趋势发展,集成电路体积越来越小、功能越来越强、引脚数越来越多、信号传输速度越来越快。芯片的集成度不断提高,与其匹配的芯片封装技术也不断发展。扇出型封装技术凭借高密度、低厚度、高性能等突出优点,成为封装技术新的方向。推动高密度封装技术发展的关键在于互连线路的制造水平和封装工艺技术的进步。互连线路制造技术成为当前封装技术的一大技术要点。随着封装及互连线路向高密度、高精度、细间距方向发展的趋势,线路出现缺陷的风险成倍增加,现有线路制造及互连技术的良率和生产成本面临重大挑战,成为制约扇出型封装等新型大规模高密度互连技术进一步发展和应用的瓶颈。本文创新性提出一种纳米铜的精细线路激光低温修复成型的新方法,采用研制的纳米铜颗粒,通过激光烧结纳米铜实现精细线路成型和开路缺陷修复,为精细线路的缺陷修复提供解决方案,提高精密封装互连制造的良率。本文采用液相还原法制备纳米铜颗粒,以乙酸铜作为铜盐,抗坏血酸作为还原剂,探究了铜盐和还原剂的浓度,分散剂聚乙烯吡咯烷酮的添加量和不同溶剂体系对纳米铜颗粒制备的影响,制备了粒径约为50 nm,300 nm和500 nm的不同尺寸形貌的纳米铜颗粒。将纳米铜混合助焊剂配置成含铜85 wt.%的纳米铜膏,制作“上铜板-铜膏-下铜板”结构进行热压烧结互连。通过测试烧结样品的剪切强度,对比不同尺寸的纳米铜与不同助焊剂配置的铜膏的烧结性能,研制了一种在300℃+2 MPa烧结条件下,剪切强度达75 MPa的烧结性能高的纳米铜膏。通过355 nm紫外纳秒脉冲激光选择性烧结涂覆在聚酰亚胺基板上的铜膏,研究了激光扫描速度,重复叠加扫描,激光功率对烧结线路的形貌及性能的影响,制作了最低线宽为30μm的精细线路。采用有机溶剂和氧化酸洗方式清洗烧结的线路,通过能谱仪表征了不同清洗方式对烧结线路的作用效果。在激光烧结纳米铜线路成型的基础上,以聚酰亚胺有机基板的开路线路修复为例,将纳米铜膏涂覆在线路开路位置,采用合适的激光工艺参数烧结纳米铜膏,完成了线宽为0.1 mm的金属铜精细线路的修复应用,并对修复线路的可靠性进行了表征和分析。