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准一维纳米材料在场发射器件上有着重要的应用前景。本文分别采用了溶液反应法和热氧化法制备出CuO纳米材料，并对其形貌和结构进行了表征。研究了制备出来的氧化铜纳米材料的场发射特性，发现用热氧化法制备出来的氧化铜纳米线的最低开启电场为5.4 MV/m，而溶液反应法制备的层状氧化铜纳米结构的最低开启电场为12 MV/m。我们研究了CuO纳米材料的场发射特性，从CuO纳米材料的几何形貌和生长密度分析了不同条件下制备的CuO纳米材料的场发射特性的差别。我们还研究了CuO纳米线的场发射温度效应，发现不同直径的CuO纳米线场发射的温度效应的差别，并对观察到的现象的机理进行了讨论。