随着光纤陀螺、光学层析成像系统、波分复用系统等光纤通讯和医疗设备的迅速发展，超辐射发光二极管因其宽光谱、高功率、低抖动、短相干等优良特性，得到广泛的关注和发展。目前，超辐射发光二极管的理论研究和产品生产日渐成熟，如何更有效的抑制F-P激射，保证超辐射发光的情况下，尽可能的提高输出功率，获得宽光谱抖动较小的器件一直是超辐射发光二极管课题需要解决的问题。　　本文通过制备两种中心波长(1310nm和1550nm)的超辐射发光二极管，采用弯曲波导和倾斜波导两种设计，研究了不同腔长、是否有隔离区和吸收区、以及吸收区偏压等对SLD器件光电性能的影响，最终得到了1550nm AlGaInAs/InP和1310nmGaInAsP/InP两种较高功率的宽光谱超辐射发光二极管器件，在合理设计量子阱结构的基础上，加入优化的光学镀膜设计，测试了不同波导结构和设计的超辐射发光二极管出光功率、光谱特性、发散角等指标，最大光谱半宽可拓宽至83nm，光谱纹波小于0.1dB，在200mA工作电流下，出光功率大于1.5mW。　　本文还着重介绍了完整的半导体工艺流程，包括光刻、解离清洗、胶膜清洗、覆层腐蚀、脊型腐蚀、P/N面薄金和厚金、减薄、解个等，工艺的精度决定着半导体性能的好坏，对获得高功率低抖动的超辐射发光二极管器件尤为重要。本文给出详细的制备宽谱超辐射发光二极管光学器件的设计和方法，搭建了可以精确测试出光功率和光谱特性的光路，得到的器件可以提高如光学相干层析成像技术(OCT)、光纤陀螺(FOG)、光时域反射仪(OTDR)等对光谱宽度和波纹有特殊要求的光学仪器精度，具有很强的实用意义。