VHF-PECVD法制备nip型硅薄膜太阳电池的研究

来源 :南开大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haozi77805
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柔性衬底太阳电池具有重量轻、可卷曲等特点,有非常广泛的用途,已经成为国际光伏领域研究热点。但是由于不锈钢带和聚酰亚胺等柔性衬底透光性差,因此柔性衬底太阳电池大多采用nip结构。本文采用VHF-PECVD方法,研究了nip结构非晶硅单结电池和微晶硅单结电池以及非晶硅/微晶硅薄膜叠层电池制备技术。由于nip结构电池的沉积顺序与pin结构相反,电池的界面特性也就不同,如果仍然按照pin结构的工艺条件制备电池,nip结构电池的各项参数将比pin结构电池差很多。因此,本论文重点研究了nip结构非晶硅电池和微晶硅电池中界面结构设计及其对电池特性的影响。 本论文研究结果如下: (1)nip结构单结非晶硅电池本文设计了i/p界面buffer层,并较系统地研究了n材料的硅烷浓度,i/p界面氢处理,i/p界面buffer层以及p层厚度对电池性能的影响。通过优化实验工艺参数,在n材料的硅烷浓度为1.05%,i/p界面氢处理时间为20秒,i/p界面加buffer层CH<,4>流量比p层CH<,4>流量二分之一略小,即为3seeem,沉积时间为0.5分钟,p层沉积时间为1分钟的最优化实验条件下,电池的转化效率达到7.32%。 (2)nip结构单结微晶硅电池本文设计了n/i界面的双层n结构和i/p界面的双层i结构,并较系统地研究了n材料的硅烷浓度, n/i界面的双层n结构,n/i界面氢处理,I层硅烷浓度,i/p界面的双层i结构,i/p界面氢处理对电池性能的影响。通过优化实验工艺参数,在n材料的硅烷浓度为0.5%,n/i界面的n-a-Si:H沉积时间为1分钟,n/i界面氢处理时间为30秒,I层硅烷浓度为5%,i/p界面i-a-Si:H沉积时间为60s,i/p界面未做氢处理的最优化实验条件下,电池的转化效率达6.28%。 (3)nip结构非晶硅/微晶硅叠层电池本文初步研究了nip结构非晶硅/微晶硅叠层电池的制备,以效率为6.28%的微晶硅电池为底电池,效率为4.8%的非晶硅电池为顶电池,在没有优化子电池厚度的前提下,电池的转化效率达7.47%,其中Voc=1.37V,Jsc=8.20mA/cm<2>,FF=0.66。
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