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Ga As电池因其高吸收、耐高温及抗辐射等特点在太阳电池研究领域受到广泛关注,但是Ga As材料高折射引起的高反射严重影响Ga As电池效率。单层减反膜无法实现宽谱广角减反,表面纳米结构虽然可实现宽谱广角减反,但由此引入的表面积和表面缺陷增加极大破坏电池的电学性能。因此,如何利用表面工程实现宽谱减反且表面钝化,作为提高电池效率的重要手段值得研究。本论文围绕这一问题开展相关研究工作,具体所做工作包括如下:(1)基于严格耦合波分析法,对不同介质膜材料、介质膜厚度的介质膜/Si复合纳锥织构化晶Si电池进行