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在微电子和微机电系统(MEMS)设计与制造工艺过程中,目前广泛采用了高深宽比的深沟槽结构,传统的测量方式无法实现对其深度的测量,因此需要采用光学的方法对深沟槽结构的尺寸进行精确检测。本学位论文在国家高技术研究发展计划(863计划)、国家自然科学基金和新世纪优秀人才支持计划的资助下,研制高深宽比微纳深沟槽结构基于模型的红外反射谱测量方法与设备。针对硅等半导体材料的光学特性,提出基于红外反射模型的微纳深沟槽测量方法。中红外光经过傅立叶变换红外光谱仪后形成干涉光再入射进入样品,利用探测器获取反