Ti-Al-O和Ba<,x> Sr<,1-x> TiO<,3> 高介电常数薄膜的制备及性能

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【摘要】

：

采用Ti3Al合金靶,分别应用脉冲激光沉积(PLD)法和磁控溅射法构架了Pt/Ti-Al-O/Si MOS异质结,研究了激光能量密度对Ti-Al-O薄膜电学性能的影响。实验表明,1.25 J/cm2的激光能量密度下,Ti-Al-O薄膜具有明显的频率色散现象,但其具有较高的介电常数(13)和较低的漏电流密度(1 V栅压下,其值约为2.0×10-6 A/cm2)。采用TiO2-Al2O3(摩尔比为2:

【作者】

：

王玉强

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2010年06期

【关键词】

：

高介电常数材料 Ti-Al-O BST 电学性能 PLD

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