阻变存储器（RRAM）具有储量大、器件面积小、能耗低、以及与传统工艺兼容等优点,有望取代Flash存储器,解决其因特征尺寸减小时存在的电荷泄露问题所带来的严重技术瓶颈。而氧化铪（HfO2）薄膜因具有宽带隙和高介电常数等特性被广泛应用于RRAM的研究之中。氧化铪基阻变存储器（HfO2-RRAM）金属电极与功能层接触界面主要是肖特基势垒调制的作用。接触界面的势垒高度与界面态相关,而界面态又取决于接触界面的氧空位浓度。中性能级是表征氧空位浓度的参数,有助于界面态密度与器件性能的分析,但目前针对金属/功能层接触界面处中性能级的分析并无系统研究。本文分析了中性能级与界面势垒高度的具体关系,提出了中性能级测量的可行性技术方案,并进行实验测试与仿真验证。首先,在金属半导体接触理论基础上建立了金属和缺氧化铪（HfOx）薄膜接触界面能带分布模型,分析了界面处势垒的形成,明确了肖特基势垒作用下的电流输运过程,并介绍了势垒高度的实验与测试方法。然后,利用金属和HfOx薄膜接触界面能带变化模型分析了界面处中性能级与势垒高度之间的联系,提出了利用功函数和势垒高度关系测试中性能级的理论方案。最后,对反应磁控溅射法制备的HfOx薄膜上沉积有不同金属电极（Ti、Cu、Ti N、Ni与Pt）的器件使用半导体参数测试仪进行电学特性测试,并利用MATLAB软件建立了RRAM不同电阻状态下的等效电阻模型。通过对比不同氩氧比的HfOx薄膜界面处中性能级的计算结果分析探究了中性能级与器件性能之间的关系,通过仿真结果与测试结果的对比证明了模型的有效性,结合不同电极器件的实验数据修改模型,得到不同电极仿真的势垒高度,仿真模型中性能级的计算结果为0.577 e V,和测试的计算结果0.587 e V相吻合。