本文首先设计了应用于不同环境的三款低噪声放大器(Low Noise Amplifier),都是采用TSMC130nm工艺设计。第一款是共电流型双频带单转差LNA,无需开关切换,可同时工作在2.4GHz和5.2GHz两个频段,通过双频带输入匹配网络和拥有两个谐振点的负载网络一同完成信号放大,有着很好的噪声性能和较低的功耗；2.4GHz处的噪声系数为1.79dB,5.2GHz处的噪声系数为1.39dB。第二款是采用噪声抵消技术的单转差无电感宽带LNA,共两级,第一级在传统的噪声抵消结构上进行改进,消除了电路中更多MOS管的噪声,第二级采用有源负载和电阻负反馈来扩展带宽；后仿结果显示,在0.4GHz到6.2GHz的频带范围内,输入输出匹配的都相当好,S11和S22都在-14dB以下：S21保持了很高的平坦度,最高为19dB,且在6.2GHz处增益只下降了1.2dB；噪声系数也一直维持在较低水平,最高只有2.5dB,0.8～4GHz之间不超过2dB。第三款为低供电电压的单端LNA,在0.4V的供电电压下可以正常工作,核心电路功耗不到1mW。接着将之前设计的双频带LNA、宽带LNA和Mixer结合起来,分别设计了两款不同用途的射频前端。第一个采用电流复用结构,将开关管叠加在双频带LNA输入跨导管之上,提高了电路线性度,减小了功耗。另一个针对零中频接收机而设计,宽带LNA结构不变；在混频器电路设计中,为降低闪烁噪声的影响,先通过跨导级电路将射频电压信号转换为电流,后接无源混频器,最后接跨阻级电路,使得1/f噪声得到了很好的抑制,同时具体优化和分析了开关管对整体增益、噪声和线性度的影响,设计得到的1/f转角频率仅为5KHz。