【摘 要】
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钙钛矿型化合物由于其新颖的物理性能和在传感器、催化剂、数据存储、磁电耦合器等方面的应用,成为近些年的研究热点。本文以稀土铬氧化物RCr O3(R=Ce,Pr,Tb,Tm,Lu)为研究对象,对体系的晶体结构、磁性能和(磁)介电性能进行了详细分析,主要研究内容及结论如下:本文采用固相法对Tm Cr O3和Lu Cr O3进行制备,利用溶胶凝胶法制备Pr Cr O3和Tb Cr O3样品,通过燃烧合成工
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钙钛矿型化合物由于其新颖的物理性能和在传感器、催化剂、数据存储、磁电耦合器等方面的应用,成为近些年的研究热点。本文以稀土铬氧化物RCr O3(R=Ce,Pr,Tb,Tm,Lu)为研究对象,对体系的晶体结构、磁性能和(磁)介电性能进行了详细分析,主要研究内容及结论如下:本文采用固相法对Tm Cr O3和Lu Cr O3进行制备,利用溶胶凝胶法制备Pr Cr O3和Tb Cr O3样品,通过燃烧合成工艺制备出Ce Cr O3样品。样品的XRD数据与标准PDF卡片一一对应,能谱数据表明样品中没有杂质,且不同区域的原子百分比R:Cr:O~1:1:3,表明所制备的样品为单相多晶样品。在磁性方面,该体系的高温顺磁段遵循居里-外斯定律。奈尔温度(TN)随着稀土离子半径的增大而增大,说明TN与R3+是否具有磁性没有必然联系,可能与该体系的晶格畸变有关。场冷模式下,Ce Cr O3和Tm Cr O3出现的磁化反转是由Ce/Tm和Cr磁子晶格之间的竞争性相互作用导致的。样品在低温下出现的自旋重取向与磁结构转变有关。该体系的介电温谱都表现出介电色散和巨介电常数特征,介电损耗峰位随频率的移动表明样品存在热激活驰豫,其中较低温下的介电弛豫是由于样品中的氧空位引起的,较高温下的介电弛豫源于麦克斯韦-瓦格纳驰豫。电导率随温度升高而下降表明样品的半导体性质,根据拟合出的s参数值,判断出该体系的传导机制模型为关联势垒跳跃和非重叠小极化子隧穿。复阻抗谱表明样品的介电弛豫由晶界和晶粒驰豫共同作用。根据晶界电阻与温度的关系曲线分析出样品的晶界电阻与载流子的迁移率和浓度有关。在Ce Cr O3和Tm Cr O3样品中,低温下的介电温谱出现介电异常峰,且不随频率移动,这应该源于样品的铁电极化。交流磁化率以及磁场下的介电温谱数据的研究结果表明,该介电异常峰源于磁序诱导的铁电极化。
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