C/Al掺杂及C+Al共掺杂TiO2(101)面的第一性原理研究

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TiO2作为一种优良的光催化剂,因其成本低、无毒、化学稳定性好、不易腐蚀等优点而受到人们的广泛关注。但是,TiO2是宽禁带半导体(锐钛矿3.20 eV),只能吸收利用太阳光中4%的紫外光,从而严重限制了TiO2的应用范围。因此,为了提高TiO2对可见光的利用率,科研人员做了大量的研究工作,其中离子掺杂是目前研究较多也比较有效的一种改性技术。此外,从TiO2的光催化机理来看,TiO2的光催化反应主要发生在颗粒表面,也就是说表面性质对TiO2的光催化性能有着较大的影响。本文选取了锐钛矿TiO2最稳定的低指数表面-(101)面作为研究对象,并采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了C/Al单掺杂和C+Al共掺杂TiO2(101)面对其晶体结构、电子结构和光学性质的影响。对于C-TiO2(101)体系,我们选取了C在三种不同位置掺杂TiO2(101)面,即C替代晶格中的O原子(CO)、C替代晶格中的Ti原子(CTi),以及间隙掺杂(Cin),作了系统地研究。结果表明,CTi和Cin掺杂时晶格畸变程度较大,并在表面都形成了平面CO3单元,导致了体系带隙的减小从而引起了吸收边的红移。CO掺杂对其晶体结构几乎没有影响,其带隙也并未发生改变,却在禁带中引入了杂质能级导致了其吸收边的红移。在这三种掺杂组态中,CO掺杂体系的吸收边红移量最大并且它对可见光的吸收能力最强。对于Al-TiO2(101)面,Al对Ti原子的替代并未对TiO2的晶体结构造成明显地畸变。通过电子结构和光学性质的计算发现Al原子的掺入导致了TiO2的吸收边发生红移,分析认为这是由于杂质能级的形成而不是带隙的减小引起的。并且,Al掺杂TiO2表面比掺杂体相TiO2更能有效地提高其在可见光区域的吸收效率。对于C+Al-TiO2(101)体系,晶体结构畸变程度较小,C和Al原子共替位掺杂TiO2并没有改变体系的禁带宽度,却在带隙中引入了3条由O 2p、C 2p和Ti 3d轨道杂化而成的杂质能级,这是TiO2吸收边红移的主要原因。通过对光学性质的计算发现对比C/Al单掺杂和C+Al共掺杂TiO2(101)面这三种体系,在TiO2(101)面中掺入非金属元素C更能有效地扩展TiO2的光响应范围至可见光区域,提高其光催化性能。
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