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随着现代半导体工艺的发展,器件尺度的缩小逐步达到物理极限,进一步提高存储器件集成度已变得非常困难。为了解决这些问题,人们必须更多地依赖新的器件设计和新材料的引入。半导体工业界长期以来一直在探索一种高密度、快速、低功耗,同时是非挥发性的存储器。近年来基于材料的可控电阻转变的存储器件,即“阻变存储器”(RRAM)的发展引人注目。它具有结构简单,快速写入／擦除能力、低功耗、高存储密度、单个器件可缩小至数十纳米等特点。在众多的备选阻变材料中,铪硅氧化物(HfSiO4)薄膜是一种可行性高而风险较低的新型非挥发