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随着科技的发展,传统的单相聚合物材料或高介电陶瓷已经不能满足实际的应用,尤其是在电容器和高储能密度器件等领域。陶瓷/聚合物集合了两相优点,在提高介电性能的同时,又具有高分子材料优越的力学性能和易加工性。其中关键的步骤是如何选择合适的无机填料。在制备无机/聚合物复合材料方面最为广泛应用的无机高介电填料有Pb(Zr,Ti)O3(PZT),BaTiO3(BT),和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)和其它铁电陶瓷颗。近年来,KxNa1-xNbO3(KNN)作为一种无铅陶瓷被广泛的研究,由于其优越的铁电和压电性能以及对环境的友好性等优点。此外,在高频应用方面,被作为先进铁电材料的固溶体KNN在宽频范围内,有着介电常数高、介电损耗低、老化率和平面耦合系数低等优点。本文通过传统固相反应法制备了KNN粉末。SEM和EDS分别表征了其颗粒的形貌和组成成分:KNN粒子的尺寸大约为1μm,而且其中的K元素和Na元素的比例为1:1,表明成功制备了K0.5Na0.5NbO3陶瓷粉末。本文采用溶液共混法制备了高介电KNN/PVDF复合薄膜,并且用FT-IR、XRD、SEM、介电测试对复合薄膜进行表征与分析,研究KNN颗粒在高聚物基体中的均匀分布,对KNN/PVDF复合膜的内部结构、表面形貌及介电性能产生的影响。KNN填料的掺杂对α-相,β-相和γ-相结构和聚合物基体的结晶度有显著的影响,并且能有效的提高复合材料的介电性能。在KNN粉末掺杂浓度到达30 vol.%的时候,在10 Hz下复合材料的相对介电常数高达250,是纯聚偏二氟乙烯的28倍多。在室温和100 Hz的频率下,KNN掺杂浓度为40 vol.%的复合薄膜的电导率低于8×10-10(S cm-1),表明了KNN/PVDF复合薄膜良好的绝缘性和将来在电子工业潜在的应用。